TCT溫度循環測試箱標準機型有：100L、150L、225L、408L、800L、1000L的內箱尺寸；備注（zhù）：50L~100L及1000L以上是非（fēi）標定製產品，具體規格參數以方案書為準。低溫可選：-80℃、-70℃、-60℃、-40℃、-20℃、0℃和常溫；高溫可選：+150℃、+180℃、+200℃；濕度範（fàn）圍有：20%~98%RH（非標可選：5%~~98%RH、10%~98%RH）TCT溫度循環測試箱適合電子元器件，半導（dǎo）體IC、芯片、光伏組件，電器，食品，車輛，金屬，化學，建（jiàn）材等工廠，科（kē）研單位，院（yuàn）校之用。

通常溫度循環的測試模塊為孔鏈路（lù）設計，通過蝕（shí）刻導線將多個孔（kǒng）串聯構成一個阻值在0.5歐姆左右的回路，測試時測量鏈路兩端的電（diàn）阻（zǔ），來監控測試後電阻變（biàn）化。更為簡易的測試（shì）方法是直接用PCB板子進行測試，測試結（jié）束後切片（piàn）取樣確認樣品是否合格。

從以上實例分析中可以看到溫度循環測（cè）試對於半（bàn）導體（tǐ）分離器件在內部不同（tóng）介質界麵的可（kě）靠性測試中充分反映（yìng）出潛在需要提高的問題，為產品（pǐn）的終應（yīng）用提（tí）供有效的評估方法。

半導體器件在貯存、運（yùn）輸和使用過程中（zhōng）時刻要遇到（dào）溫度環境，溫度環境應力對元器件性能的影響時刻存在。例如，高溫時導（dǎo）致半導體（tǐ）器件發生軟化、效能降低、特性改變、潛在破壞、氧化（huà）、熔化及升華（huá）、物理膨脹等（děng）現象；低溫使材料發生龜（guī）裂、脆化、可動（dòng）部卡死、特性改變等現象；溫度衝擊造成反複熱脹（zhàng）冷縮，產生機械應力等。