TCT溫（wēn）度循環測試箱標準機型（xíng）有：100L、150L、225L、408L、800L、1000L的內箱尺寸；備注：50L~100L及1000L以上是非標（biāo）定製產品，具體規格參數以方案書為準。低溫可選：-80℃、-70℃、-60℃、-40℃、-20℃、0℃和常溫；高溫（wēn）可選：+150℃、+180℃、+200℃；濕（shī）度範圍有：20%~98%RH（非標可選（xuǎn）：5%~~98%RH、10%~98%RH）TCT溫度循環測試箱適合電子（zǐ）元器件，半導體IC、芯片、光伏組（zǔ）件，電器，食品，車（chē）輛，金（jīn）屬，化學，建材等工廠，科研單位，院校之用。

通常溫度循環的測試模塊為孔（kǒng）鏈路設計（jì），通過蝕（shí）刻導線將多個孔串聯構成一個阻（zǔ）值在0.5歐姆（mǔ）左右的回（huí）路，測試時測量鏈路兩端的電阻，來監控測試後電阻（zǔ）變化。更為簡易的測試方法是直接用PCB板子進行測試，測試結束後切片取（qǔ）樣確認樣品是（shì）否（fǒu）合格。

從以上實例分析中（zhōng）可以看（kàn）到溫度循環測試對於半導（dǎo）體分離（lí）器件在內部不（bú）同介質（zhì）界（jiè）麵的可靠性（xìng）測試中充分反映出潛（qián）在需要提高（gāo）的問題（tí），為產（chǎn）品的終應用提供有效的評估方法。

半導體器件（jiàn）在貯存、運輸和使用過程中時（shí）刻要遇到溫度（dù）環境，溫度環境應力對元器（qì）件性能的影響時刻存在。例如（rú），高溫時導（dǎo）致半（bàn）導體器件發（fā）生軟化、效能降低、特性改（gǎi）變、潛在（zài）破壞、氧化、熔化及升華、物（wù）理膨脹等現象；低溫使材（cái）料發生（shēng）龜裂、脆化（huà）、可動部卡死（sǐ）、特性改變等現象（xiàng）；溫度（dù）衝擊造成反複熱脹冷縮，產生機械（xiè）應力等。