例1:待測器件經過（guò）1，000小時溫度循環試驗後測試結果顯（xiǎn）示電性為開路狀（zhuàng）態。通（tōng）過不良品分析（xī）實驗，剝離器件外部塑封膠後發（fā）現（xiàn）晶片與框架焊接過程中所（suǒ）使用銀漿在與晶片背麵的焊接區域出現斷裂狀態(圖1)。通常半導體器件焊接所使用（yòng）的銀（yín）漿的成（chéng）分為錫/銀/銅，晶片的基材為矽。焊接（jiē）過程（chéng）中焊接溫度的設定，銀（yín）漿（jiāng）量的控製，晶片（piàn）的柔片次數，塑封膠（jiāo）注人的壓力等都會對產品的終可靠性造成影響。當器件處於（yú）極端溫度變差及輸入偏壓開關模式（shì）下，器（qì）件在薄弱的不同介質結合（hé）麵會（huì）出現（xiàn）開路（lù）狀況，從而造成器件整（zhěng）體功（gōng）能或電路（lù）模塊的失效（xiào）。如果各種材料（liào）在高低溫下（xià）通過各自的膨脹係數所產生的應力沒有（yǒu）通過結合麵（miàn）之間的綬衝結構得到釋放，這種影（yǐng）響可（kě）能會通過（guò）銀漿的結合麵（miàn）將應（yīng）力傳導到器件（jiàn）為脆（cuì）弱（ruò）的晶片內部，造成芯片內部的物理（lǐ）損傷，隨（suí）著實驗（yàn）時間的集聚（jù），終造成電（diàn）性的不良，嚴重的情況下會顯示出晶片的斷裂或燒毀。