適用範圍:
該試驗檢查芯片長期貯存條（tiáo）件下，高溫（wēn）和（hé）時間對器件的影響（xiǎng）。本規範適用於量產芯片驗證測試階段的HAST測試需求，僅針對非密封封裝(塑料封裝（zhuāng）)，帶（dài）偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測試。簡介：
該試驗通（tōng）過溫度（dù）、濕度、大氣壓力（lì）加速條件，評估非密封封裝器件在上電（diàn）狀態（tài）下，在高（gāo）溫、高壓、潮濕環境（jìng）中的可靠性。它采用（yòng）了嚴格的溫度，濕度（dù），大氣壓、電壓條件，該條件會加（jiā）速水分（fèn）滲透（tòu）到材料內部與（yǔ）金屬導體之（zhī）間的（de）電化（huà）學反應。引用文件：
下列文件（jiàn）中的條款通過本規範的引（yǐn）用（yòng）而成為本規範的條款。凡是注日期的引用文件，其隨後所有的修（xiū）改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均（jun1）不（bú）適用於（yú）本規範，然而（ér），鼓勵根據本規範達成協議的各方研究（jiū）是否可使用這些（xiē）文件的新版本。凡（fán）是（shì）不注日期（qī）的引用文件，其新版本適用於本規範。
1. HAST測試流程
2.1 溫（wēn）度、濕度、氣壓、測試時間 HAST試驗條件如下表所示：
➢ 測試過程中，建議調試階段監控芯片殼溫、功耗數據推算芯片結溫，要保證結溫不能過 高，並在測試過程中定期記錄（lù）。結溫推算方法參考（kǎo）《HTOL測試技術規範》。
➢ 如果殼溫與環（huán）溫差值或（huò）者功耗滿（mǎn）足下表三種關係時，特別是（shì）當殼溫與環溫差（chà）值超過 10℃時，需考慮周期性的電壓（yā）拉偏策略。
2.2 電壓拉（lā）偏
uHAST測試（shì）不帶電壓拉偏，不需要（yào）關注該節；
bHAST需要帶電壓拉偏，遵循以下原則：
(1) 所有電源上電，電壓：推薦操（cāo）作範圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions）
(2) 芯片（piàn）功耗小(數字部分不翻轉、輸入晶振短（duǎn）接、其他降功耗方法)；
(3) 輸入管腳在（zài）輸入電壓允許範圍內拉高。
(4) 其他管腳，如時鍾端、複位（wèi）端、輸出管（guǎn）腳在輸出範圍內隨機拉高或者拉低（dī）；
2.3 樣（yàng）本（běn）量（liàng）
➢ 高溫、高壓、濕度控製試驗箱（HAST高壓（yā）加速老（lǎo）化試驗（yàn）箱）——溫度、濕（shī）度、氣壓強度範圍（wéi）可控（kòng），測試時間可控。
4. 失效判據
➢ ATE\功能篩片有功能失效、性能（néng）異常。
5. HAST測試注意事項
➢ 測試過（guò）程要求每天記錄電源電壓、電流、環（huán）境溫度、殼溫(推算結溫)等關鍵數據。
➢ 注意（yì）芯片內部模擬電路（lù）是否有（yǒu）上電默認開啟的模塊，這（zhè）樣的模塊（kuài）會導致靜態電流太大，引起其他機製的失（shī）效（xiào）。
➢ 調試過程注意，考慮到較大的電流引（yǐn）起壓降，電壓等的（de）記錄應該是到板電壓，而不是電源源端電壓（yā）。
➢ 調試（shì）過程注意（yì），室溫條件下（xià）的電源電壓與規定要求下的電源電壓不同，可以（yǐ）在（zài）室溫下初調，待試驗（yàn）環境（jìng）到達（dá）HAST設定條（tiáo）件後做終調試。
