塑封器件需要做哪(nǎ)些可靠性試驗?
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來源:
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發布日期: 2021.07.29
1、引言
塑封是目前廣泛被使(shǐ)用的器件封裝形式,是一種非密封性封(fēng)裝,其主要特(tè)點是重量輕、尺寸小、成本低,但散熱差、易吸潮。隨著塑封(fēng)器件尤其是塑封微(wēi)電路越來(lái)越廣泛的應用,塑封(fēng)微電路在軍用領域的應用也逐步增多。對於塑封器件可靠性,應在(zài)滿(mǎn)足(zú)常規(guī)可靠性試驗要求的基(jī)礎上,針對塑(sù)封特點和一些可(kě)能的失效模式、失效機理,進行一些特殊的試驗。
本文介紹了塑封器件可靠性與試驗方(fāng)法,包括(kuò):
●濕度(dù)敏感度試驗
●溫度循環
●濕度偏置試驗HAST試驗
●高壓蒸(zhēng)煮試驗
2、標準
美國EIA(Electronic industries Association)和JEDEC(Joint
Electron Device EngineeringCouncil)針對塑封器件的(de)可(kě)靠性及相關試驗要求製(zhì)定了相應的標準,如圖1。對於所有的塑封器件均要滿足JESD47標準要求,JESD47包括一些一(yī)般試驗要求(如環境應力試驗、電應力試驗、非破壞性物理試驗和破壞性物理試驗等)、特殊試驗要求(ESD、Latch-up等)、磨損可靠性試(shì)驗要求(電遷移EM、與時間有關的擊穿TDDB、熱載流子注入HCI等)和可燃(rán)性試驗要求,根據器(qì)件封裝特點及可靠性要求可適(shì)當選擇試驗方法。尤其是對一種新技術、新(xīn)工藝或新產品時。
J-STD-020A濕度敏感度試驗對(duì)表(biǎo)貼器件(jiàn)濕度敏感度進行等級評定,其它兒(ér)個標準則具體針對溫循、穩態溫濕(shī)度壽命試驗、高加速應力試(shì)驗(HAST)、高壓蒸煮等試(shì)驗提供試驗方法。
3.濕度敏感(gǎn)度等級評價
濕度敏感度是塑封表麵貼裝(SMDs)器(qì)件的一個(gè)重要指標。當(dāng)塑封器件吸收了潮氣後,在回流焊高溫工藝(yì)中(zhōng)潮氣迅速被汽化體積膨脹,從而造成封裝(zhuāng)分(fèn)層、內部裂紋、鍵合損傷、引線斷、芯片位移、鈍化層裂紋等,甚至封裝內發出爆裂的聲(shēng)響,就是常說的“爆米花”效應。
濕度(dù)敏感度等級評價(jià)試驗是為了定級器件對濕度(dù)應力的敏感性,試驗後器件的外包封上被打(dǎ)上相應的敏感度等級,根(gēn)據器件濕度敏感度等級,在器件包裝、儲存、運輸、傳遞、裝(zhuāng)配過程都應采取相應的措施,避免引入損傷。濕度敏感度等級決定了器件可以暴露在潮濕中的時間。
濕度敏感度試驗適用於所有的表麵貼裝器件,包括 PBGAs、SOICs、PLCCs、TQFPs、PQFPs、RQFPs、TSOPs、soJs等。
為了進行濕(shī)度敏感度等級評價,Altera推薦采用100%對流(liú)回流係統以滿足J-STD-020A標準所要求的回流(liú)焊剖麵。
在試驗中,對於小、薄(báo)尺寸(cùn)器件,由於回流過程中為了滿足大器(qì)件回流要求,小器件體溫度將超過220℃以(yǐ)上的溫度,為了補償這一差異,小尺寸封裝器件要求耐受(shòu)235℃溫(wēn)度。表2給出小(xiǎo)尺寸器件回流條(tiáo)件。
試驗過程中器(qì)件達到試(shì)驗溫度(dù)的速率也會影響封裝(zhuāng)可靠(kào)性,表3給出兩種典型的對流回流技術(完全對流和R對流)的回流剖麵。
如果器件通過Ⅰ級濕度敏(mǐn)感度試驗,那麽可以認為(wéi)該器件是非濕度敏感性器件,不需要幹燥包裝。如(rú)果器件僅僅通過6級濕度敏感度試驗,說明該(gāi)器件是極度濕度敏感器(qì)件,僅僅幹燥包裝不足以提供應有的保護,必須在裝配前采取烘焙等措(cuò)施。
4、溫度循環(huán)試驗
溫度循環試驗主要是考察塑封器(qì)件對高(gāo)低溫的耐受(shòu)能力(lì)。試驗後器件不應有明顯的損傷,如裂紋(wén)、碎裂或斷裂(liè)。表4給出溫度循(xún)環試驗等(děng)級。
溫度循環試驗還可以暴露由不同材料組成的封裝的缺陷(xiàn)。器件的封(fēng)裝包含有不同的材料,當封裝經(jīng)曆不同的極限溫度時,由於其溫度係數(shù)存在差異膨脹(zhàng)和收(shōu)縮的速率(lǜ)各不相(xiàng)同,圖2給出了(le)圖⒉給出不同溫度係數材料受熱膨脹的差異。當兩種材料緊(jǐn)密接觸時,膨脹表現為兩種材料(liào)膨脹的合成(chéng),即兩種材料擴展了同樣的長度,對材料1來(lái)說引(yǐn)入了額(é)外的應力。當材料經受低溫收縮時情況也一樣。這樣在材料的接觸部位就會產生剪應力,當器件快速(sù)進行高低溫衝擊時,接觸部(bù)位的(de)剪(jiǎn)應力有壓應力到張應力往複變化,如果溫度極限應力足夠強,材料就會發生裂紋(wén)或位移,從而造成器件金屬引線和金屬化層發生位移。如圖3。
這種剪應力集中的地方在芯片的四角上,尤其是麵積比較大的芯片更要注意(yì)。封裝的裂縫會向下延伸到器件,以至於造成鈍化層下(xià)麵的金(jīn)屬化層和多(duō)晶矽層斷(duàn)裂。金屬引線的位移會造成漏洞甚至短路。
為(wéi)了避免這種失(shī)效的發生,應按JESD22-A 104-A,對照表4分級對(duì)器件進行溫度循環試驗考察。
5、濕度(dù)偏置試驗
評(píng)價器件在潮濕環境下的可(kě)靠性可以進(jìn)行穩態溫(wēn)度濕度偏置壽命試驗(JESD22A-101-B),該試驗方法采用溫度、濕度和電應力來加速潮氣進入器件(jiàn)封裝。試驗在85℃和
85%RH條件下(xià)進行。這種試驗方法不能暴露器件封裝組合材料(liào)或封裝裝(zhuāng)配缺陷。
試驗在高(gāo)低溫交變濕熱試驗箱中進行以提供(gòng)適當的溫度和相對濕度,同時還要提(tí)供必要的電(diàn)連(lián)接以實(shí)現加偏置(zhì)。試驗(yàn)是在極限應力條件下進行。
在試驗中采用兩種偏置方式:連續偏置和周期性偏置。
連續偏置下直流偏置被連續地加到(dào)器件(jiàn)上。當器件溫度高於腔體環(huán)境(jìng)溫度10℃以內,或當器件耗(hào)散功率低於200mW,連續偏置比(bǐ)周(zhōu)期(qī)性(xìng)偏置更嚴(yán)酷。當(dāng)器件的耗散功率高於200mW,必須(xū)重新計算芯片的溫度,即功率(lǜ)×熱阻,如果計算出(chū)來的結果高於(yú)試驗規範5℃以(yǐ)上,則應采用(yòng)周期(qī)性偏置。
對於周期性偏(piān)置,直流電(diàn)壓以一定(dìng)的頻率和占(zhàn)空(kōng)比被間歇地加到器件上。對於一個特定器件如(rú)果(guǒ)偏置引入的溫升高於腔體環境溫度10℃以上,周期(qī)性偏置比連續偏置更嚴酷。在周期性偏(piān)置電關斷期(qī)間潮氣聚積在芯(xīn)片上。對於多數器件來說周期性偏置通常采用1小時通1小時斷的方式。
6、HAST 試驗
同樣采用高加(jiā)速應力試驗(HAST)來評價器件(jiàn)在潮濕環境下的可靠性(JESD22-A110-A)。與濕度(dù)偏置試驗相同,HAST試驗箱也采用電應力、高溫和高濕應力的組合應力形式,加速退化(huà)失效。在偏置應力下試驗的環境條件是130℃和85%RH。HAST試驗能夠揭示封裝材料、密封性以及封裝材(cái)料與引線之間(jiān)的缺陷。
HAST中的(de)電應力同濕度偏置試驗的一樣,但Vcc采用條件。由於HAST試驗腔(qiāng)體條件很嚴酷,試驗用的老化板必(bì)須經過特殊設(shè)計。
7、高壓蒸煮(zhǔ)試驗
高壓蒸煮試驗是(shì)評價非密封器件抗潮濕能力(lì)的(de)一種加速應力試驗,試驗應力采用較嚴酷的氣壓、濕度和溫度——PCT試(shì)驗箱,來加劇(jù)潮氣從外部通過封裝(zhuāng)材料、金屬引腳邊緣(yuán)進入芯片表麵。JESD22-A102-B對試驗進行了詳細的規定。
試驗條件如表5。
高壓蒸煮試驗主要暴露器件(jiàn)相關的(de)四類失效:
其一、焊盤(pán)、金屬化(huà)腐蝕性失效。高壓蒸煮試驗中高氣壓將水蒸(zhēng)氣通過封裝壓到(dào)器件中(zhōng),直至器(qì)件表麵,對於鍵合焊盤和鈍化層有缺陷的金屬化層將產生腐蝕作用。
其二,浮柵漏電失效。對於一些非揮發性器件如閃存和(hé)EEPROM,在浮柵存有(yǒu)電荷(hé),如果潮氣(qì)通過鈍化層到達浮柵,很快就會將浮柵上存儲的電荷泄漏掉,造成器件失效。
其(qí)三,鉛錫遷移(yí)導致漏電失(shī)效。器件在封裝工藝中清洗失當,在潮熱(rè)環(huán)境下鉛錫會(huì)生長出數(shù)狀須來(lái),造成引線之間漏電甚(shèn)至(zhì)短路。
其四,封裝外部損傷。
8、結論
利用(yòng)上述試驗考核、評價塑封器件的可靠性,並通過持續改進封裝可靠(kào)性和降低現(xiàn)場使用失效率,從而保證終用戶的產(chǎn)品可靠性需求。上述試驗方法都是極限應(yīng)力條件(jiàn)下的加速退化試驗,目的是(shì)揭示設計和工藝(yì)引入(rù)的缺陷,以及塑封器件可能發生的退化機(jī)理。這些信息對(duì)於(yú)塑封器件的傳遞、裝配(pèi)、分類和儲存都具有指(zhǐ)導作(zuò)用。
作者:恩(ēn)雲飛
信息(xī)產業(yè)部(bù)電子第五研究所
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