igbt模（mó）塊屬於（yú）多層封裝結構，各層封裝材料的熱膨（péng）脹係數不同。溫（wēn）度的波動會引起（qǐ）熱膨脹係數不（bú）同的各層材料之間的熱（rè）失配，從而產生熱（rè）應力，其中熱應力集中的部位包括：鍵合線，芯片焊層，底板焊層，見如圖1所示的紅色部位。熱應力不斷的循環累（lèi）積，首先會使鍵合線和焊接層產生裂紋，終引發鍵合線脫落或焊（hàn）層大麵積分層導致模塊失效。

根據所施加負載的時間函數，它（tā）會周期性地加熱和（hé）冷卻，因此結構中的熱（rè）-機械應力會相應升高和鬆弛。溫度循環和功率循環是兩種不同的方法，都試圖模仿這種周期（qī）性負載。

 在半導體封裝中，有許多不同的材料，並（bìng）且材料之間是大（dà）表麵接觸的。下圖顯示了普通igbt模塊的結（jié）構。在溫（wēn）度變化的情況下，具有不同熱膨脹係數（CoefficientofThermalExpansion）的接（jiē）觸材料會承（chéng）受明顯的熱-機（jī）械（xiè）應力。產生的熱-機械應力的大小與溫度變化和接觸表麵的麵（miàn）積成正比。