一、試驗（yàn）目的

電子元器（qì）件的失效（xiào）很多是由於環（huán）境溫度造成體內和表麵的各種物理（lǐ）、化學變化所引起的（de）。溫度升高後（hòu），使得化學反應（yīng）速率大大加快，其失（shī）效過程也得到加速，使有缺陷的元器（qì）件（jiàn）能及時暴（bào）露。 

通過高低溫試驗箱模擬環境溫度變化提（tí）高元器件環境溫（wēn）度適（shì）應能力，加速元器件中可能（néng）發生或存在的任何化學反應過程（如由水汽或其他離（lí）子所引起的腐蝕作（zuò）用，表麵漏電、沾汙以及金-鋁之間金屬化合物的（de）生成等），使具有潛在缺陷（xiàn）的（de）元器件提前失效而（ér）剔除。 

高溫貯存試驗對於表麵沾汙、引線鍵合不良和氧（yǎng）化層缺陷（xiàn）等都有很好的篩選作用。 

二、試驗（yàn）原理

高溫貯存是在試驗箱內（nèi）模擬高溫條件，對元器件施加高（gāo）溫應（yīng）力（不加電應力），使得元器件體內和表麵的（de）各種物理、化（huà）學變化的化（huà）學反應速率（lǜ）大大加快，其失效過程也得到加（jiā）速，使有缺（quē）陷的元器件能盡早（zǎo）暴露。 

高溫貯存篩選的（de）特點：

① 的優點是操作簡便（biàn）易行，可（kě）以大批量進行，投（tóu）資（zī）少，其篩選效果也不差，因而是目前比較（jiào）普遍采用的篩選試驗項目。

② 通過高溫貯存還可以使元器件的性能參數（shù）穩定下來（lái），減少使用中的參數漂移，故在GJB548中（zhōng）也把高溫貯存試驗稱為穩定性烘焙試驗。

③ 對於工藝和設（shè）計水平較高的成熟器件，由於器件本身已很穩定，所以做高溫存貯篩（shāi）選效果很差，篩選率幾乎為零。

三、試驗設備

高（gāo）低溫試驗箱，適用產品零部件及材料在高溫、低溫（交變（biàn））循（xún）環變化的情況下，檢驗其可靠性各項性能指標（biāo）的儀（yí）器設備。高溫時（shí）可測試產品零件（jiàn）、材料（liào）可能發生軟化（huà）、效能降低、特性改變、潛在破壞、氧（yǎng）化等現象。 

四、暴露的缺陷

元器件的電穩定（dìng）性、金屬化、矽腐蝕和引線鍵合（hé）缺陷等。 

五、注（zhù）意事項 

1.溫度-時間應力的確定。 

在不（bú）損害（hài）半導體器件的情況下篩選溫度越高越好，因此應盡（jìn）可能提高貯存溫度。貯存（cún）溫度需根據管殼結構、材料性質、組裝和密封工藝而定，同（tóng）時（shí）還應特別注（zhù）意溫度和時（shí）間的合理確定。 

有一種誤解認為溫度越（yuè）高、時間越長（zhǎng）篩選考驗就越嚴格，這是錯誤的（de）。例如：如果貯存溫度過高、時間過長則使（shǐ）器（qì）件（jiàn）加速退（tuì）化以及對器（qì）件的封裝有破壞（huài）性，還有（yǒu）可能造成（chéng）引線鍍層微裂及引線氧化，使得可焊接性變差（chà）。 

確（què）定溫度、時間對應關係的原則是：保持對元器（qì）件施加的應力強度（dù）不能變，即如果提高了貯存溫度，則應減少貯存時間。 

對於半導體器件來說，貯存溫度除了受（shòu）到金屬與半導體材料共熔點（diǎn）溫度的限製以外，還受到器件封裝所用的鍵合絲材料、外殼漆（qī）層及標（biāo）誌耐熱溫度和引（yǐn）線氧化溫度的限製。因此（cǐ），金-鋁鍵合的器件貯存溫度可（kě）選用150 ℃，鋁-鋁鍵（jiàn）合可選用200 ℃，金-金鍵合器件可選用300 ℃。對電容器（qì）來說，貯存溫度除了受到介質耐熱溫度限製外，還受到外殼漆層和標誌耐熱溫度以及引線氧化溫度的限製，某些電容器（qì）還受（shòu）到外殼浸漬材料的限製，因此，電容器的貯存溫度一般都取它的正極限溫度。

2.高溫貯存多數在封裝後進行，半導體（tǐ）器件也有在封裝前的圓片（piàn）階段或鍵合後進行，或封裝前後都進行。 

3.高溫貯存試驗結束後，如須對元器件進行測試對比，國軍標中規定必須在96 小時內測試完畢。