芯片高低溫（wēn）測試流程
作（zuò）者：
salmon範
編輯：
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來源：
www.tuyatang.com
發布日期： 2020.10.14
芯片在出廠前需要（yào）進行環境（jìng）測試，模擬芯片在氣候環境下操（cāo）作及儲存的適應性，已確保其在低溫環境下也可正常工作。下麵瑞（ruì）凱儀器小（xiǎo）編給大家講解一下芯片高低溫測試（shì）的流程吧！
1、在樣（yàng）品斷電的狀態下，先將溫度下降（jiàng）到-50℃，保持（chí）4個小時；請勿在（zài）樣品（pǐn）通電的狀態下進行低溫測試，非常重要，因（yīn）為通電狀（zhuàng）態下（xià），芯片本身就會產生+20℃以上溫度，所以在通電狀態下，通常比（bǐ）較容易通（tōng）過低溫測試，必須先將其“凍透”，再次通電進行測試。
2、開機，對樣品進行性能測試，對比（bǐ）性能與常溫相比是否正常。
3、進行老化測試，觀察是否有數據對比（bǐ）錯誤。
4、升溫到（dào）+90℃，保持4個小時，與低溫測試相反，升溫過（guò）程（chéng）不斷電，保持芯（xīn）片內部的（de）溫度一直處於（yú）高溫狀態，4個小時後執行2、3、4測試步驟。
5、高（gāo）溫和低溫測試分別重複10次。
如果（guǒ）測試（shì）過程出現任何一（yī）次不能正常工作的狀態，則視為測試失敗。
