塑（sù）封半導體器件（jiàn）THB試驗
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發（fā）布日期： 2021.08.19
THB 試驗是考核塑（sù）封器件耐（nài）濕性常用的加速試驗方法，一般（bān）在高溫高濕試驗箱（xiāng）中進行。通過提（tí）高環境溫度及相對濕度，使試驗環境的水汽分壓增加，加（jiā）大了試驗環境與塑封（fēng）半導體器件（jiàn）樣品內部的水蒸氣壓力（lì）差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏置（zhì）電壓為加速金（jīn）屬侵蝕提供了必要的電解電（diàn）池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用（yòng）不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質汙染等。
為得到較好的加速性，THB試驗對不同功率的塑封半（bàn）導體器件施加不同電壓偏置:小功率塑封半導（dǎo）體器件，施加穩態電（diàn）壓偏置;人功率塑封半導體器件，施加間歇電（diàn）壓偏置。因為大功率器件在“有偏置（zhì）(bias-on)”時，芯片發熱對芯片周圍的模塑化合物有烘幹作用，若持續施加穩態電壓偏置，則模塑化合物中不會存在水汽。因此，人功率（lǜ）器什在間歇偏置電壓下“無偏置（bias-off)”時模塑化合物吸收水汽（qì）;“有編置(bias-on)”時（shí），封裝（zhuāng）體內水汽在也偏置作:用下產生離子遷移激發火（huǒ）效。表1是JEDEC標準JESD22-A101-B（穩態THB壽命試!驗〉中施加（jiā）電壓偏（piān）置的原則。
JESD22-A101-B標（biāo）準中指出，大（dà）多數大功（gōng）率塑封半導（dǎo）體器件試驗樣品以1小時加偏置，1小時不加偏置即能（néng）得（dé）到較好加（jiā）速性。
