GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法 方法105 低氣壓試驗 （等效（xiào）美軍標MIL-STD-202F ）
    1、目的： 低氣壓試驗箱是（shì）確定元件和（hé）材料在（zài）低氣（qì）壓下耐電擊穿能力；確定密（mì）封元件耐受氣壓差不破壞的能力；檢驗低（dī）氣壓對元件（jiàn）工作特性的影響及低氣壓下的其他效應（yīng）；有時候可用於確定機電（diàn）元（yuán）件的耐久性。
    本方（fāng）法是常溫條件下的低氣壓試驗。若裝置元件的設備（bèi）將在低溫（wēn）低氣壓及高溫低氣壓的綜合（hé）條件下（xià）貯存和使用，而且能夠斷（duàn）定高低溫和氣（qì）壓的綜合作用是造成（chéng）失效的主要原因，常（cháng）溫低氣壓試（shì）驗不能使用時，則應進行溫度-氣壓綜（zōng）合環境試驗。
    2、低氣壓試驗箱相關試驗標（biāo）準
    1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實驗室環境（jìng）試驗（yàn）方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗》
    2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法 方法105低氣壓試驗》（等效美軍標MIL-STD-202F ）
    3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗方法和程序 方（fāng）法1001 低氣壓（yā）（高空作（zuò）業（yè））》（等效美軍標MIL-STD-883D)
    4）GB/T 2421-2008《電工電（diàn）子產品基本環境試驗 總則》
    5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產品基本環境試驗規程 試驗M低氣壓（yā）試驗方法》
    6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產品基本環境試驗（yàn）規程 試驗Z/AM 低溫（wēn）/低氣壓綜合試驗方法》
    7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產品基本環境試驗（yàn）規（guī）程 試（shì）驗Z/BM 高溫/低氣壓綜合（hé）試驗方法》
    8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產品基本環境試驗（yàn）規程 試驗Z/AMD 高（gāo）溫/低（dī）氣壓綜合試驗訪求》
    9）GB/T 2424.15-2008《電工電（diàn）子產品基本（běn）環境（jìng）試（shì）驗規程》
    10）MIL-STD-810F 《環（huán）境工程考慮與實驗室試驗 低氣壓（高度）試驗》
    11） GB/T 1920-1980  標準大氣（qì）(30公（gōng）裏（lǐ）以下部分)（2015年10月已作廢）
    12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環境試驗（yàn）規程 第（dì）二部分 試驗（yàn） 試驗Z/BM 高溫/低氣壓（yā）試驗》