艦船通用微（wēi）電子器件的老化篩選項月，一般都與個或多個故障模代（dài）有關。所以其老化篩選的順（shùn）序大有講究，本文推薦的艦船通用（yòng）微電子（zǐ）器件老化篩選（xuǎn）順序（流程）是：常溫初測、低溫測試、高（gāo）溫測試、高（gāo）低溫（wēn）衝擊動態老化/高溫存儲檢漏常（cháng）溫終測這裏的/是條件或。即如果已做（zuò）動態老化，高（gāo）溫存儲可省：如（rú）果（guǒ）由（yóu）於條件限製做不了動態老化，那麽可用高溫存儲（chǔ）作補償（cháng）性篩選。

通常，微電子器件產品使用如下幾個低氣壓試驗標準: 1）CJB150.2A-2009《軍用裝備實驗室環境試驗方法第二部（bù）分低（dī）氣壓（yā）（高度）試驗》；2）GJB360B-2009《電子及（jí）電氣元件（jiàn）試（shì）驗方法方法105低氣壓試（shì）驗》（等效美軍標MIL-STD-202F）；3）GJB548B-2005《微電子器件試驗方法和程序方法1001低氣壓（高空作業）》（等效美軍標MIL-STD-883D）；

 濕熱試驗包括穩態濕熱試驗（yàn）和耐濕試驗，對電子元器件可靠性考核一般進行耐（nài）濕試驗。目（mù）前（qián），與元器件相關的（de）耐濕試驗常用標準有以下幾種：GJB360B—2009《電（diàn）子及（jí）電氣元件試驗方法》中涉及（jí）濕熱（rè）試驗的（de）有“穩（wěn）態濕熱試驗”和“耐濕試驗”。GJB548B—2005《微電子器件試驗方法和程序》中（zhōng）涉及“耐濕試驗”。在GJB128A—1997《半導體分立器件試驗方法》中涉及有“耐濕試驗”。其試（shì）驗目的是評定電子元器件（jiàn）材料的耐濕性能。