針（zhēn）對芯片等微（wēi）電子（zǐ）器件的快速溫變試驗箱可靠性測試，其（qí）環境試驗標準與大型軍工裝備有所不同。芯片產品主要遵循國家軍用標準《GJB548》（如GJB548C-2021）中的“方法1010溫度循環”進（jìn）行測試。以下是該（gāi）標準下針對芯片產品的溫變循環測試程序與核心參數定義：一、核心測試程序定義GJB548標準中（zhōng）的溫度循環試驗主要用於測定......

艦船通（tōng）用微電子器件（jiàn）的老（lǎo）化篩選項月，一般都（dōu）與個或多個故障模代（dài）有關。所以其老化（huà）篩選的（de）順序大（dà）有講究（jiū），本文推薦的艦船通用微電子（zǐ）器件老化篩選順序（流（liú）程）是：常溫初測、低溫測試、高溫測試、高低溫衝擊動態老化/高溫存儲檢漏常溫終測這裏的/是條件或。即如（rú）果已做動態（tài）老化，高溫存儲（chǔ）可（kě）省：如果由於（yú）條件限製做不了動態老化，那麽可用高溫存儲作補償（cháng）性篩選。

通常，微電子器件產（chǎn）品使用如下幾個低氣壓試驗標準: 1）CJB150.2A-2009《軍用裝備實驗室環境試驗方法第二部分低氣壓（高度）試驗》；2）GJB360B-2009《電子及電氣元件試驗方（fāng）法方法105低（dī）氣壓試驗》（等效美軍標（biāo）MIL-STD-202F）；3）GJB548B-2005《微電子（zǐ）器件試驗（yàn）方法和程序方法1001低氣壓（高空作業（yè））》（等效美軍標MIL-STD-883D）；

 濕熱試驗包括穩態濕熱試（shì）驗和耐濕試驗，對電子元器（qì）件可靠性考核一（yī）般進（jìn）行耐濕試驗。目前（qián），與元（yuán）器件相關的耐濕（shī）試驗常用標準有以下幾種：GJB360B—2009《電子及電氣元件試驗方法》中涉及濕熱試驗的有“穩態濕熱試驗”和“耐濕試驗”。GJB548B—2005《微電子器件試驗方法（fǎ）和程序》中（zhōng）涉及“耐濕試驗”。在GJB128A—1997《半（bàn）導體分（fèn）立器件試驗方法》中涉（shè）及有“耐濕試驗”。其試驗目的是評定電子元器件材料的耐濕性能。