本測（cè）試方法主要用（yòng）於耐濕性評（píng）估（gū）和強健性測試。樣品放置（zhì）於一個高壓、高濕環境下，在壓力下濕氣進入封裝，使弱點暴露，如分層、金屬腐蝕。本測試用於評估新封裝或封裝材料變更（塑封料、芯片鈍化層）或設計變更（如芯片、觸點尺寸）。但本試驗（yàn）不應用於基於封裝的層（céng）壓板或膠帶，如FR4材（cái）料、聚酰亞胺膠帶等。
    運行本（běn）試驗和評估（gū）試驗結果須考慮一些注意事項。失效（xiào）機製，內部和外部的，可能產生於不符合預期使用條件。大多半導體元件在應用時不會超過95%濕（shī）度，包括壓縮濕氣如下雨或霧。高溫高濕和高壓的綜（zōng）合可能（néng）產生非現實（shí）的材料失效因為吸濕對（duì）大（dà）多數塑料材料會降低玻璃化溫度。高壓蒸煮試（shì）驗結果（guǒ）推斷應小心。
    無偏高壓蒸煮試驗的目的在於用壓縮濕氣或飽和濕氣環境下，評估非氣密性封裝固態元件的（de）抗濕性。這是一個采（cǎi）用（yòng）壓力、濕度、濕度條（tiáo）件的高加速試（shì）驗，在高（gāo）壓條件下加速濕氣滲透到外外部保護物料（塑封料或絲印（yìn））或沿外保護物料與金屬導電層之間界麵滲入（rù）。本測試用於識別（bié）封裝內部的失效機製，並且是（shì）破（pò）壞性的。

    2、設備

    本測（cè）試要求一個（gè）可維持規定溫度和濕度的PCT高壓蒸煮試（shì）驗箱。
    2.1記錄
    建議（yì）每（měi）個測試（shì）循環有一套溫度曲線記錄，以（yǐ）便驗證應力條件（jiàn）。
    2.2應力儀器
    應力儀（yí）器不（bú）近於內部箱表麵3cm,不能（néng）直接受熱。
    2.3離子（zǐ）汙染
    測試工件（jiàn）不應受到離子汙染。
    2.4蒸（zhēng）餾水或去離子水
    小1M.cm電阻

    3、測試條件

    測試條（tiáo）件包括溫度、濕度、蒸氣壓和時（shí）間

    注1公差應用於整個可用的試驗區域。
    注2試驗條件應持續施加，除去中間讀數點。對中間讀數點，器件件（jiàn）應在5.2規定時間內返回（huí）加壓。
    注3本文件（jiàn）之前的版本規定以下試驗條（tiáo）件。
    條件A：24hrs（-0，+2）
    條件B：48hrs（-0，+2）
    條件C：96hrs（-0，+5）
    條件D：168hrs（-0，+5）
    條件E：240hrs（-0，+8）
    條件F：336hrs（-0，+8）
    試驗時間由內部鑒定要求、JESD47或適用的程序文件規定。典型為96小時。
    注意：對塑封微電路，濕氣會降低塑封料的有效的玻璃化溫度。在有效的玻璃化溫度（dù）之.上的應（yīng）力溫度可能導致（zhì）與操作使用（yòng）相關的（de）失效機理。

    4、程序

    受試（shì）器件應以一定（dìng）方式固定（dìng），暴露在規定的溫度、濕度條件下。應避（bì）免元件置於（yú）100℃以（yǐ）上和小於10%R.H.濕度的（de）環境中，特別是（shì）上升、下降和先期測量幹燥期間。上升和下降時間應分別小於3小時。在設備控製和冷卻程序時要特別（bié）小心防止受試器件受（shòu）到破壞性（xìng）的降（jiàng）壓。確（què）保減少汙（wū）染，經（jīng）常清（qīng）潔試驗腔體。
    4.1試驗周（zhōu）期
    溫度和相對濕度達到第4條規（guī）定的（de）設定點啟動試驗（yàn）計時，並在（zài）下降開始點停止計時。
    4.2測試
    電測試應（yīng）在下降（jiàng）結束（shù）降到室溫不早於2小時，不超過48小時內進行。對於中間測（cè）量，在下降階段結束後96小時內器件恢複（fù）應力。器件從高（gāo）壓蒸煮（zhǔ）試驗箱移出後,可以通過（guò）把器件放入密封的潮濕袋(無幹燥劑)中來減小器件的潮氣釋放速率。當器件放入密封袋時，測試時（shí）間計時以器件暴露於實驗室環境中（zhōng）潮氣釋放速率的1/3來計（jì）算。這樣通過把器件裝入潮氣密（mì）封袋中測試時間可延長到144小（xiǎo）時，壓力恢複時間也延長到288小時。
    4.3處理
    應使用消除任何來源的附（fù）帶汙染或靜電放電損壞的手環，處理器件和測試夾具。在本試驗和任（rèn）何高加速（sù）濕氣應（yīng）力試驗中，汙染控製（zhì）是重要的。

    5、失效判據

    如果試驗後，器件參數超（chāo）過極限值，或按適用的采購文件和數據表中規定的正常和極限環境中不能驗證（zhèng）其功（gōng）能時，器件視（shì）為失效。由於外部封裝損傷（shāng）造成的電（diàn）失（shī）效不作為失效標準考慮範（fàn）圍（wéi）。

    6、安（ān）全性

    遵守設備生產廠家建議和當地安全法規。

    7、說明

    有關的采購文件中應規定（dìng）如下內容:
    a)試驗持續（xù）時間
    b)試（shì）驗（yàn）後測量

    8、草莓视频网站（kǎi）PCT高壓蒸（zhēng）煮（zhǔ）試（shì）驗箱產品介紹

    8.1設（shè）備介紹

    PCT高（gāo）壓蒸（zhēng）煮試驗箱是利用高溫、高濕及加強的大氣壓力測試來評（píng）估IC產品對濕氣的抵抗（kàng）能力（lì）。其和THB測試之不同處為（wéi）不加偏（piān）壓，且用較高的（de）溫度（dù）（121°C）及較高的濕度（100%R.H.）。在線谘詢>>>

    8.2設備參數