近幾年來，本實驗室連續開展了大規模集成（chéng）電路的新品檢測工作，如偵察運算電路（lù）、BCH編譯碼器（qì）、CRT地址（zhǐ）產生電路及接（jiē）口（kǒu）電路等，基本上都是（shì）規模（mó）較大的CMOS電路，對靜電敏感（gǎn），工作速度較快。在高、低（dī）溫電性能測試中成（chéng）功地（dì）采用了（le）該集成電路高、低溫電性能測試係統（tǒng），積累了（le）一些有益的經驗。通過實際應用發現，必須注意以下一些具體的環（huán）節，如測試板的隔離、防潮，被測器件的靜電保護，被測器件芯片溫度的確定等問題，才能快速、準確地完成CMOS VLSI的高、低溫電性能測試。

    在用該高、低溫測（cè）試係統（tǒng）做溫度測試時，係統有溫度（dù）傳感（gǎn）器叮測（cè）到器件底部的溫度，雖然氣流是（shì）重直於DUT表麵而下，但DUT的底部還是屬於器件表（biǎo）麵，如何確定DUT芯片溫度的建立時（shí）間，是個比較複雜的問題。因為DUT芯片溫度的建立時（shí）間受很多因（yīn）係的（de）影（yǐng）響，如DUT的材料（liào）、形狀尺寸，溫度以及氣體流（liú）量的大小等因素的影響。不（bú）同的器件芯（xīn）片溫度的建立時間是不一樣的，溫度建立時間是指係統變溫( 升溫獲降溫)開始，到建立新的熱平衡，即被測器件芯片溫度（dù）達到設定值這一（yī）段時間。某公（gōng）司給（gěi）出了1000Ω電阻溫度探測器(RTD)的溫（wēn）度建立時（shí）間曲線（xiàn），如圖3所示。圖3表明不同的RTD其溫度建立時間是不同的。

    DUT芯片溫度的建立時（shí）間對於高、低溫測試是非常重要的指標，隻有（yǒu）在（zài）大於建立（lì）時間的時間段內測試，測試的數據才（cái）能真正地反映設定溫度點的性能及具有重複性（xìng）。對於複雜的大規模集成電路，我們采取（qǔ）在（zài）開（kāi）始高、低溫測試（shì）前，通過反複試驗，確定被測器（qì）件芯片溫（wēn）度的建立時間。在熱流係統顯示達到設定溫度開始，對被測器件進行多次電（diàn）參數測試，當其（qí）電參數（shù）趨於穩定（dìng）並具有可（kě）重複性時，將這段時（shí）間確定為DUT芯片溫度的建立時間。經過反複試驗發現，係統的溫度傳感器測得的被測（cè）器件底部溫度（dù）與芯片溫度基本一致。