1、範圍
    GB/T4937的本部分（fèn）規定了非密封表麵安裝器件(SMDs)在（zài）可靠性試驗前預處理的標準程序。
    本部分（fèn）規定了SMDs的預處理流程。
    SMDs在進行規定的（de）室內可靠性試驗(鑒定/可靠性監（jiān）測)前，需（xū）按本部分所規定的流程進行（háng）適當的預處理，以評估器件的長（zhǎng）期可靠性(受焊接應力的影響)。
    注： GB/T 4937. 20和本部分中的潮濕（shī）誘導應力敏感度（dù）條件(或潮濕（shī）敏（mǐn）感度等級(MSL) )與實際使用的再流焊條件之間的關係依賴於半導（dǎo）體器件承製方的溫（wēn）度測量。因此，建議在裝配過程中，實時監控溫度的（de）潮濕敏感SMD封裝頂麵的溫度，以確保其溫度不超過元件評估（gū）溫度。
    2、規範性引用文件（jiàn）
    下列（liè）文件對於本文件的應用是必不（bú）可少的。凡是注日（rì）期的引用（yòng）文件,僅注日期的版本適用於（yú）本文件。凡是（shì）不注日期（qī）的引用文件，其新版（bǎn）本(包括所有的修改單（dān）)適用於（yú）本文件。
    GB/T4937.20-XXXX半導體器件-機械和氣候試驗方法-第20部分：塑封表（biǎo）麵安裝器件的耐潮（cháo）濕和焊接熱綜合（hé）影（yǐng）響(IEC 60749-20： 2008， IDT)
    GB/T4937.25-XXXX半導體器件-機械和氣候試驗方法-第25部分：溫度循環(IEC60749-25：2003,
    IEC 60749-4半導體器件-機械和氣候試驗方法-第4部分：強加速穩態濕熱試驗(HAST )
    ( Semiconductor devices. -Mechanical and climatic test methods- -Part 4：Damp heat, steadystate, highly accelerated stress test (HAST) )
    IEC 60749-5 半導體器件-機械和氣候試驗方法-第5部分：穩態溫濕度偏置壽命試驗（yàn）
    ( Semiconductor devices. -Mechanical and climatic test me thods -Part 5：Steady- -statetemperature humidity bias life test)
    IEC 60749-11 半導體器件-機械和氣候試驗方法-第11部分：快速溫度變化一（yī）雙液槽法
    ( Semiconductor devices -Mechanical and climatic test methods -Part 11 ：Rapid change oftemperature- Two-fluid-bath method)
    IEC60749-24半導體器件-機械和氣候（hòu）試驗方法-第24部分：加速耐濕無偏置強加速應力試驗
    (Semi conductor dev ices -Mechanical and climatic test me thods -Part 24：Accelerated mois tureresi stance-Unbiased HAST)
    IEC 60749-33 半導體器件-機械和氣候試驗方法-第33部分：加速（sù）耐濕-無偏置高壓蒸煮
    ( Semi conductor devices- -Mechanical and cl imatic test me thods -Part 33 ：Accelerated mois tureresi s tance-Unbiased autoc lave)
    3、總則（zé）
    焊接熱（rè）試驗會使SMDs中潮氣(SMDs在存貯期間吸收的)氣壓升高，從而導致SMDs塑料封裝破裂和電氣性能失效。本部分是通過模擬貯存（cún）在倉庫或幹燥包裝環境中（zhōng）SMDs吸收的潮氣,進而對其進行耐（nài）焊接熱性能的評價。
    4、試驗設備（bèi）和材（cái）料
    4.1恒溫恒濕試驗箱
    恒溫（wēn）恒濕試驗箱應能在85℃/85% RH (相對濕度)、85℃/60% RH、85℃/30% RH、30℃/70% RH和30℃/60%RH下工作。在恒溫恒濕試（shì）驗箱工作區域內，溫度容差為±2℃，相對濕度容差為（wéi）土3% RH。 
    4.2焊接設備
    焊（hàn）接（jiē）設備應包含以下設備：
    a)100%對流再流焊係統：再流焊首選設備，能提（tí）供本部分要求的再流焊曲線;
    b) 氣相再流焊(VPR) 室：使用合適的液體，能在215℃~219 ℃和(或) 235℃±5℃下（xià）工作。該室能在不損壞水（shuǐ）汽覆蓋層的前提下加熱封裝（zhuāng），且能（néng）再次冷凝水（shuǐ）汽，從而降低氣相焊接液體的損失。氣相焊接液體應在上述規定的合適溫度下（xià）汽化（huà）;
    c) 紅外(IR) /對（duì）流再流（liú）焊設備：應能提供本部分要（yào）求的再流焊（hàn）曲線。推薦使用（yòng）紅外加熱空氣（qì），不應直接（jiē）作用於試驗樣品;
    d) 波峰焊接設備：應（yīng）能維持GB/T 4937. 20- XXXX中5. 4.4規定的條件。
    注（zhù）：潮濕敏感（gǎn）條件(分級)試驗結果取決（jué）於封裝（zhuāng）殼體溫度，而不是電路板或引線溫度。對流和氣相再流焊（hàn）比紅外更具可控性和重複性（xìng）。當（dāng）氣相再流焊、紅外/對流和對流之間存（cún）在衝突時（shí），應以對（duì）流結果為（wéi）準。
    4.3光學顯（xiǎn）微鏡
    光學顯微鏡(40倍，用（yòng）於外部目檢)。.
    4.4電學測試設備
    電學測試（shì）設備應（yīng）具備常（cháng）溫直流測試和功能測試的能力。
    4.5幹燥(烘焙)箱
    幹燥(烘焙)箱能在125±5℃下工作。
    4.6溫度循環箱(可選)

    溫度循環箱工作範圍至少為-40℃~60℃，與（yǔ）GB/T 4937. 25-XXXX -致。可接受的、可選擇的試驗條件和溫度容差見GB/T 4937. 25- XXXX 中表1。

    5、程序
    5.1通則
    根據GB/T 4937. 20-XXXX中的潮濕敏感等級(MSL)， 同時可參考其它的潮濕評（píng）估數據，來確定（dìng）適當的預處理程序，使其盡（jìn）可能通過。建議使用（yòng）合適的方法和類似的器件進行預（yù）評估。但5. 5中浸漬（zì）順序應與表1和表2中車間壽命（mìng）信息一致（zhì）。
    5.2初始測量
    5.2. 1電測試
    進行直流電測試和功能測試，確（què）認器（qì）件（jiàn）是否滿足相關文件要求，替換不滿足要求的器件。
    5.2.2外觀檢查
    在40倍光學顯微鏡下進（jìn）行外部目檢，確保試驗樣品沒有外部裂紋或（huò）其他損傷（shāng）。如果存在機械損傷不合格品，則應在生產過程中采取（qǔ）糾正措施，並自（zì）糾正後的生產批中抽取新的樣本。
    5.3 溫度循環（huán）(可選)
    進行5次-40 C (或者更（gèng）低) ~60 C (或者更高)的溫度循環，以模擬運輸條件。當相關文件有規定時，本步驟為可選的（de）。
    5.4 幹燥(烘焙)
    (125±5)℃下（xià）烘焙器件至少24h，去除封裝內部水汽（qì），以達到真正的“幹（gàn）燥”。
    注1：如果接受預處理的某一器 件吸附數據（jù）表明，需要更多或更少的時間來獲得“幹燥”封裝，則烘焙時間應適當修正。
    注2：如果預（yù）處理由半導體器件承製方實施（shī），因為風險在供應商自身，步（bù）驟5.2.1、5.2.2、 5.4可選做。如果預處理由用戶實施，步驟5. 8可選做。
    5.5幹燥（zào）包裝 SMDs浸漬條件
    采（cǎi）用以下浸漬條件。浸漬應在烘焙後2 h內（nèi）開始。
    5.5.1 方法A-GB/T 4937.20- -XXXX中幹燥包裝SMDs

    試驗按表1規定進行，參考（kǎo）GB/T 4937. 20- XXXX 中5.3.3.2方法A。

    5.5.2方（fāng）法（fǎ）B-GB/T 497. 20- -xxx 中（zhōng）幹燥包裝sMDsS
    試驗按表2規定進行，參考GB/T 4937.20-0 -x3.3.3.方法B。

    5.6 GB/T 4937.20- XXXX中非（fēi）幹燥包裝（zhuāng）SMDs浸（jìn）漬條件
    試驗按表3規（guī）定進行，參考GB/T 4937. 20- XXXX中5.3.2 一（yī）致。

    5.7 再流焊
    器件從恒溫恒濕試驗箱移（yí）出後15min到4h之間，采用GB/T 4937. 20- XXXX中合適的再流焊條件（jiàn）進行3次循環。所有（yǒu）溫（wēn）度均為（wéi）本體溫度。
    在兩次再（zài）流焊循環之間，允許將器件放置在室溫（wēn）環境下至少冷卻5min。
    5.8 模擬助焊（hàn）劑使用(可選)
    5.8. 1助焊劑使用
    再流（liú）焊循環完成之後，允（yǔn）許器件在室溫下至（zhì）少冷卻15min。在室溫下，將器件主體大部分浸入到助焊劑中至少10s，從而使活性水溶（róng）性（xìng）助焊劑（jì）施加到器件引線上。當（dāng）相（xiàng）關文件有規定時，助焊劑使用是（shì）可選的。
    5.8.2使用（yòng） 助焊劑（jì）後清洗
    使用多次攪動的去離子水衝洗器件。使用助焊劑後（hòu）可立即清洗。進行下一步之前，器件應在室（shì）溫環境溫度下幹燥。
    5.9終檢查
    5.9.1 電測試
    進行直流電測試和功（gōng）能測試（shì），確認器件能否達到規範（fàn）的常溫數據表要求。
    5.9.2目檢
    在40倍的光學顯微鏡下進行外部目檢（jiǎn），確（què）保器件外表麵無裂紋。
    預處理造成的任何失效，表明該器件等級劃分錯誤。應（yīng）進行失效分析，如果可以，應對該器件重新評估（gū），確定正（zhèng）確的潮濕敏感等（děng）級。在進行5. 10可靠（kào）性試驗之前，應重新提交樣品進行正確等級的預處理。
    注（zhù）：由於風險是（shì）由供應商（shāng）來承擔，對半導體生產商（shāng），終檢查步驟是可選的，可以省略。
    5.10應用可靠性試驗
    SMD 進行可靠性試驗之前，如強加速穩態濕（shī）熱試驗(HAST) (IEC 60749-4)、 溫濕度偏置壽命試（shì）驗(IEC 60749-5)、快（kuài）速溫度變化-雙液體槽法(IEC 60749- II)、加速耐濕-無偏置強加速應力（lì）試驗(IEC60749-24)、溫度循環(GB/T 4937. 25)，或加速耐（nài）濕-無偏置高壓蒸煮(IEC 60749-33)，應按照本部分進行（háng）適當的預（yù）處理。
    6、說明
    應在（zài）相關文件中規定以下細節：
    a)使用的預（yù）處理條件(方法)類別;
    b)如有要求， 為驗證（zhèng）運輸能力，應規定溫度循環條件和循環次數(見5.3);
    c)應規定再流焊循（xún）環次數，如不是3次(見5.7);
    d) 如有要（yào）求，應規定助焊劑類型(見5.8);
    e)可靠（kào）性試驗程序及試驗條（tiáo）件(見5.10);
    f) 電測試描述，包括測試溫度(見5.9)。