1、範圍
1.1 本工藝適應於防（fáng）爆電器產品中本安用鍺（zhě）、 矽半導體二極（jí）管、三極管、集成電路、電容器、電阻器元件的老化篩選。
1.2 本工藝適用於進廠檢驗合格的元件進行（háng）老化篩選。
2、引用標準
2.1  GB4032半導體分（fèn）立器（qì）件
2.2  GB4936. 1半導體分立器件總規範

2 3  GB4938半導體分（fèn）立器（qì）件接收和可靠性

3、設備、儀器、工具（jù）
高低溫試驗（yàn）箱、直流穩壓電源、萬（wàn）用表、示波器
4、高（gāo）溫儲存
4.1目的：使（shǐ）具（jù）有潛在缺（quē）陷的器件（如汙（wū）染、引（yǐn）線不（bú）良、氧化缺陷等）提前失效，加以清除。
4.2儲存溫度
a)鍺二、三（sān）極管： 85±2℃
b)矽二、三極管： 85±3℃
c)集成電路：  85±2℃
4.3儲存時間  24h
4.4試驗方法（fǎ）
4.4.1初試
4.4.1.1標準測試條件
a)環境溫度： 25±5℃
b)相（xiàng）對（duì）濕度： 45%~75%
c)大氣壓力（lì）： 86~ 106kpa
d)4.4.1.2技術要（yào）求
按器件電（diàn）參數規範（fàn）測試
a）二極管
VBR：擊穿電壓。
IK：  反向電流。
b） 三極管
ICBO：集電極-基極反向擊穿電流。
v（ER）CEO：集電（diàn）極一發射極反向擊穿電壓。
VCE （sat）： 集（jí）電極一反向飽和壓降（jiàng）。
IC-VCE：共射極輸出特（tè）性曲線。
HFE：共射極靜態電流（liú）放大係（xì）數。
C）穩壓二（èr）極管
UZ：穩定電壓
IZ：穩（wěn）定電流
d）電阻器：選擇篩選的電（diàn）阻器測量阻值的誤差範圍不得超過±5%。
e）集成電路：選擇能預示器件早期失效的參數，作為（wéi）篩（shāi）選參（cān）數。
注：集（jí）成電路種類、規格繁多，差異較大，根（gēn）據（jù）實際應用情況選測主要參數。
f）電容器（qì）：電解電容量允許誤差為±20%，無極電容電容量允（yǔn）許誤差為（wéi）±5%。
4. 4.2試驗步驟
4. 4.2.1將初測合格的器件裝入專用金屬盒，放入高低溫試驗箱，把溫度調到規定值（zhí）.
4. 4.4.2溫（wēn）度達到規定值時開始計算時間，48h後取出器件，並（bìng）在室溫下恢複應不少於1h.
4.4.2.3重複
4.4..1條的（de）測試步驟（zhòu）.
5、常溫靜態功率老化
5.1目的
在較長時間內對器件（jiàn）連續施（shī）加一定的電壓力，通過電一（yī）熱（rè）應（yīng）力的綜合作（zuò）用，來加速器件（jiàn）內部的（de）物理化學反映的（de）過（guò）程。促使器件內部各種潛在的缺陷及（jí）早暴露（lù），以剔除（chú）早期失（shī）效（xiào）的器件.
5.2試驗要求
5.2.1二極管
5.2.1.1檢波、開關、整流二極管的（de）正向電功（gōng）率的老（lǎo）化，應取額定正向電流（liú）的1.5倍，老化時間為48h。
5.2.1.2穩壓（yā）二極管的反向電功率老化，應以其額定功率的2倍進行，老化（huà）時間為（wéi）48h
6、注意事項
6.1常溫靜態功率老化過程中，應隨時監測電壓、電（diàn）流數值，以保證老化條件的穩定
6.2在初測及複測時，要防止因失效的半導體器件引起儀（yí）表過載。
6.3試驗時，如果（guǒ）熱源溫度失控，就可能破壞或損（sǔn）傷器（qì）件，因此，熱源應裝備重複（fù）的過（guò）熱（rè）控製來限製溫度。
7、驗收規則
7.1由（yóu）質量部接到檢驗通知單後（hòu）進行。首先檢查元件是否為本公（gōng）司的合格供方，出廠產品是否有合格證明等。
7.2電解電容的出廠期不得超過一年。
7.3 所有元件抽樣檢查，抽樣率5%，初測時被抽取的樣品總數（shù）經檢測合格率低於98%的，則判定該批總體不合格。否則判定該批總體為合格品（pǐn）。經電熱老化後的樣品總數檢驗合格率低於98%的，則判定該批總體不合格，否則判定該批總體為合格品（pǐn）。
7.4對檢測不合（hé）格的電子元件，開出檢驗不合格單，及時反饋（kuì）有關部門。
7. 5檢驗記錄應（yīng）認真填寫。