目前，國內外對於igbt器件失效的研究眾多，主要從兩方麵入手，一方麵（miàn）是考慮器件自身的工作循環，另一方麵是考慮器件的實際工況環境，研究表明IGBT失效是（shì）由內部工作循環及外部工況同時作用導（dǎo）致的，其（qí）失效機理（lǐ）複雜，失效模式主要分為封（fēng）裝類失效及芯片類失效，如圖2-2所示。